IntelliEPI 

IntelliEPI Inc. (Cayman), prostřednictvím svých dceřých společností, se specializuje na výrobu a dodávky pokročilých epitaxiálních waferů z polovodičových sloučenin. Tyto specializované komponenty jsou klíčové pro špičkové technologie v bezdrátové komunikaci, přenosu dat a aplikacích v oblasti národní obrany. Společnost má globální dosah a působí na klíčových trzích, včetně Spojených států, Německa, Číny, Japonska a Koreje. Základem její činnosti je využití vlastních systémů pro epitaxii pomocí svazku molekul (MBE), které integrují technologii pro monitorování růstu in situ v reálném čase. Tento sofistikovaný výrobní proces umožňuje vytvářet vysoce kvalitní epi-wafery na podkladech z arsenidu galia (GaAs) a fosfidu індия (InP). Rozsáhlé portfolio produktů IntelliEPI zahrnuje: Řešení na bázi GaAs: Jako jsou pseudomorfní tranzistory s vysokou hybností elektronů (pHEMT) a produkty MHEMT. Nabídku na bázi InP: Včetně heterojunkčních bipolárních tranzistorů (HBT), HEMT, RTT a komponent RTD. Produkty na bázi antimonu (Sb): Obsahující fotodetektory Type II SLS, InP HBT na bázi GaAsSb a epi-ready podklady z antimonidu galia (GaSb). Produkty pro nesouladnou epitaxii: Jako III-V na křemíku (Si), III-V na germanu (Ge) a indium-galium-arsenid (InGaAs) s vysokým obsahem інdia na křemíku. Optoelektronické zařízení: Širokou škálu zahrnující lavinové fotodiody (APD), různé typy laserů (jako jsou vysokorychlostní vysokofrekvenční povrchově emitující lasery a kvantové kaskádové lasery), optické přijímače, infračervené fotodetektory s kvantovými jádry (QWIP), modulatory a obecné infračervené detektory světla. Společnost IntelliEPI byla založena v roce 1999 a sídlí v Richardson, Texas.