SOITEC 

SOITEC S.A., společnost založená v roce 1992 se sídlem v Bernin ve Francii, je globálním lídrem ve vývoji a výrobě pokročilých polovodičových materiálů. Tyto vysoce specializované substráty jsou klíčové pro výrobu mikročipů, které pohánějí širokou škálu elektronických zařízení po celém světě. Její technologie je nezbytnou součástí spotřební elektroniky, jako jsou chytré telefony, tablety a osobní počítače, a sahá až k kritické IT infrastruktuře, jako jsou servery a datová centra. Kromě osobních počítačů se materiály společnosti SOITEC nacházejí také v automobilových elektronických komponentech, zařízeních připojených k internetu a specializovaném průmyslovém a medicínském vybavení. Společnost nabízí komplexní sortiment vyvinutých substrátů, z nichž každý je navržen pro specifické vysoce výkonné aplikace. Například její technologie Fully Depleted Silicon-On-Insulator (FD-SOI) podporuje procesory a radarové systémy v automobilovém sektoru. Výpočetní technika s vysokým výkonem těží z jejich nabídek PD-SOI a FinFET-SOI. V oblasti mobilní komunikace jsou substráty RF-SOI základem pro modulární přední části (front-end) v telefonech 4G LTE i v nejnovějších chytrých telefonech 5G (zahrnujících frekvence sub-6 GHz a mmWave). Kromě toho SOITEC poskytuje produkty power-SOI pro integraci vysokonapěťových a nízkonapěťových funkcí v rámci napájecích integrovaných obvodů, což je kritické pro automobilové a průmyslové využití. Řešení pro optické sítě využívají jejich Smart photonics-SOI, zatímco Smart Imager-SOI je vyvíjen pro špičkové 3D obrazové senzory. Společnost rovněž přispívá k udržitelné dopravě prostřednictvím Auto Smartsic pro zelenou mobilitu. Dalším rozšířením portfolia je Connect RF-GaN, který usnadňuje infrastrukturu 5G a vylepšuje výkonové zesilovače chytrých telefonů. Vysoce výkonné akustické vlnové filtry spoléhají na vyvinuté substráty Connect-POI a k dispozici jsou i Gallium Nitride (GAN) epitaxiální wafly pro vývoj energeticky únosných systémů správy napájení.