Wolfspeed 

Wolfspeed, Inc. bietet Siliziumkarbid- und Gallium-Nitrid (GaN)-Materialien, Leistungsbauelemente und Hochfrequenz (RF)-Bauelemente auf Basis von Halbleitermaterialien mit breitem Bandabstand und Silizium an. Die Siliziumkarbid- und GaN-Materialien des Unternehmens umfassen Siliziumkarbid-Bare Wafer, epitaktische Wafer und GaN-epitaktische Schichten auf Siliziumkarbid-Wafern. Es bietet Siliziumkarbid-Materialien für Kunden an, um Produkte für RF, Leistung und andere Anwendungen herzustellen. Die Leistungsbauelemente des Unternehmens umfassen Siliziumkarbid-Schottky-Dioden, Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs), Leistungsmodulen und Gate-Treiberplatinen, die von Kunden und Distributoren in Anwendungen wie Elektrofahrzeugen, die Ladeinfrastruktur, Server-Stromversorgungen, Solarwechselrichter, unterbrechungsfreie Stromversorgungen, industrielle Stromversorgungen und andere Anwendungen umfassen, verwendet werden. Die RF-Bauelemente umfassen GaN-basierte Chips, Hoch-Elektronen-Mobilitäts-Transistoren, monolithische Mikrowellen-Integrationsschaltungen und seitlich diffundierte MOSFET-Leistungs-Transistoren für Telekommunikationsinfrastruktur, Militär und andere kommerzielle Anwendungen. Die Produkte des Unternehmens werden auch im Transportwesen, beim Schnellladen, in drahtlosen Systemen, 5G, Motorantrieben, erneuerbaren Energien und -speicher sowie in Luft- und Raumfahrt- und Verteidigungsanwendungen eingesetzt; und Materialprodukte und RF-Geräte werden in militärischen Kommunikations-, Radar-, Satelliten- und Telekommunikationsanwendungen verwendet. Es bedient Kunden in Nordamerika, Asien und Europa. Das Unternehmen war früher als Cree, Inc. bekannt und änderte seinen Namen im Oktober 2021 in Wolfspeed, Inc. Wolfspeed, Inc. wurde 1987 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Durham, North Carolina.