Roundhill Memory 

El Roundhill Memory ETF (DRAM) está diseñado para ofrecer a los inversores una oportunidad de inversión enfocada dentro de la industria mundial de memorias de semiconductores. Su cartera está construida estratégicamente para priorizar a las empresas líderes que poseen una presencia de mercado y unos ingresos sustanciales en productos de memoria y tecnologías asociadas. Esto incluye un amplio espectro de soluciones de memoria, tales como memoria de alto ancho de banda, memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM), memoria flash NAND (que abarca unidades de estado sólido basadas en NAND), memoria flash NOR, unidades de disco duro y componentes de memoria especializados o integrados. El énfasis deliberado del fondo en empresas importantes de gran capitalización se considera esencial para apoyar los avances en la inteligencia artificial. Para ejecutar su enfoque de inversión activa, el fondo tiene la flexibilidad de invertir en acciones ordinarias o derivados financieros, como swaps o forwards. La asignación de los pesos de la cartera sigue una metodología de capitalización de mercado modificada, con la salvaguarda de que ninguna empresa individual puede constituir más del 25% del fondo. Estas ponderaciones se determinan mediante la evaluación del asesor sobre la posición de mercado y la generación de ingresos de cada empresa dentro del sector de la memoria. La cartera se reequilibra con una periodicidad mínima de cada tres meses.