IntelliEPI 

IntelliEPI (Cayman), הפועלת באמצעות חברות בתיה, מתמחה בייצור ואספקה של וופרים (wafers) מתקדמים לאפיתקסיה של מוליכים למחצה מורכבים. רכיבים מיוחדים אלו חיוניים לטכנולוגיות קצה בתחומי התקשורת האלחוטית, העברת הנתונים ויישומים של ביטחון לאומי. החברה נהנית מנוכחות גלובלית ומשרתת שווקי מפתח הכוללים את ארצות הברית, גרמניה, סין, יפן וקוריאה. אבן יסוד בפעילותה היא השימוש במערכות Molecular Beam Epitaxy (MBE) קנייניות, המשלבות טכנולוגיית ניטור צמיחה בזמן אמת (in situ). תהליך ייצור מתוחכם זה מאפשר יצירת epi-wafers באיכות גבוהה הבנויים על מצעי גליום ארסניד (GaAs) ואינדיום פוספיד (InP). פורטפוליו המוצרים הנרחב של IntelliEPI כולל: פתרונות מבוססי GaAs: כגון טרנזיסטורים בעלי ניידות אלקטרונים גבוהה פסאודו-מורפיים (pHEMTs) ומוצרי MHEMT. מוצרים מבוססי InP: הכוללים טרנזיסטורים דו-קוטביים עם חיבור הטרוגני (HBTs), HEMTs, RTT ורכיבי RTD. מוצרים מבוססי אנטימון (Sb): הכוללים פוטו-דיודות מסוג Type II SLS, HBTs מבוססי GaAsSb, ומצעי גליום אנטימוניד (GaSb) מוכנים לאפיתקסיה. מוצרי אפיתקסיה לא תואמים (Mismatched epitaxy): כגון III-V על סיליקון (Si), III-V על גרמניום (Ge), ואינדיום גליום ארסניד (InGaAs) בעל תכולת אינדיום גבוהה על סיליקון. רכיבים אופטואלקטרוניים: מגוון רחב הכולל פוטו-דיודות מפצילות (APDs), סוגים שונים של לייזרים (כגון לייזרים פולטים משטח במהירות גבוהה ותדר גבוה ולייזרים מסוג quantum cascade), מקלטי אופטיקה, פוטו-דיודות אינפרה-אד Red מסוג quantum well (QWIPs), מודולטורים וגלאי אור אינפרה-אד כלליים. החברה הוקמה בשנת 1999 ומטה הקורפורטיבי שלה ממוקם בריצ'רדסון, טקסס.