Roundhill Memory 

קרן Roundhill Memory ETF (DRAM) נועדה להציע למשקיעים הזדמנות השקעה ממוקדת בתעשיית זיכרון המוליכים למחצה העולמית. תיק ההשקעות שלה בנוי באופן אסטרטגי כדי לתת עדיפות לחברות מובילות המחזיקות בנוכחות שוק משמעותית ובהכנסות גבוהות ממוצרי זיכרון וטכנולוגיות נלוות. זה כולל מגוון רחב של פתרונות זיכרון כגון זיכרון ברוחב פס גבוה (HBM), זיכרון גישה אקראית דינמי (DRAM), זיכרון NAND flash (הכולל כוננים מצופים ב-NAND), זיכרון NOR flash, כוננים קשיחים (HDD), ורכיבי זיכרון ייעודיים או משובצים. הדגש המכוון של הקרן על חברות גדולות בעלות שווי שוק גבוה נחשב לחיוני לתמיכה בהתקדמות בתחום הבינה המלאכותית. לצורך יישום גישת ההשקעה הפעילה שלה, לקרן יש גמישות להשקיע במניות רגילות או בנגזרים פיננסיים, כגון swaps או forwards. הקצאת משקלי התיק מתבצעת לפי מתודולוגיית שווי שוק מותאמת, עם הגנה לפיה אף חברה בודדת לא תוכל להוות יותר מ-25% מהקרן. משקלים אלו נקבעים על ידי הערכת היועץ לגבי המיקום בשוק וייצור ההכנסות של כל חברה בתוך מגזר הזיכרון. התיק עובר איזון מחדש לפחות אחת לשלושה חודשים.