IQE 

1988年に設立され、英国カーディフに本社を置くIQEは、先端半導体材料の製造、生産、および販売を専門とするリーディングプロバイダーです。同社の核心的な専門知識は、高度なエピタキシープロセスを用いた化合物半導体ウェハー（エピウェハー）の製造にあります。事業活動は主に、Wireless（ワイヤレス）、Photonics（フォトニクス）、およびCMOS++の3つのセグメントに分類されます。Wireless部門では、IQEはガリウム砒素（GaAs）、窒化ガリウム（GaN）、インジウムリン（InP）ベースのソリューション、ならびにシリコン（Si）とゲルマニウム（Ge）を統合したエピタキシャルウェハー構造を含む様々な技術を開発しています。これらは、コンシューマー向けモバイルデバイス、コネクテッドテクノロジー、5Gネットワークインフラ、Wi-Fi 6、Bluetooth、および衛星通信アプリケーションに不可欠なGaAs HBT、pHEMT、BiFET/BiHEMTなどの主要コンポーネントの製造に利用されています。Photonicsセグメントは、先端的な発光および検出ソリューションに焦点を当てています。同社は、顔認識、ジェスチャーコントロール、LiDARなどの最先端の3Dセンシング機能を可能にする垂直共振器面発光レーザー（VCSEL）を提供しています。さらに、このセグメントは、高速5G電気通信およびデータ通信用光ファイバーネットワークの動力源となるインジウムリン（InP）レーザーおよび検出器ウェハーを供給しています。また、IQEは鮮やかなマルチカラーmicroLEDディスプレイ用の窒化ガリウム（GaN）およびアンチモン化ガリウム（GaSb）に加え、セキュリティ、ヘルスケアモニタリング、環境分野における高精細赤外線イメージングおよびセンシングに不可欠なGaSbおよびInP材料も製造しています。これらの主要製品に加え、IQEはGaSb、InP、InAs、InSb、CZT、カスタムサイズまたは形状のウェハー、多結晶材料、高純度III/V族ソース材料、精密配向基板を含む多様な基板製品ポートフォリオを提供しています。また、ナノインプリント・リソグラフィなどのサービスも展開しています。IQEは、米国、南北アメリカ、フランス、ドイツ、英国を含む欧州諸国、イスラエル、中東、アフリカ、中国、日本、台湾、およびアジア太平洋地域を含む広範な国際市場にサービスを提供しています。