Roundhill Memory 

O Roundhill Memory ETF (DRAM) foi concebido para oferecer aos investidores uma oportunidade de investimento focada na indústria mundial de memória de semicondutores. A sua carteira é estrategicamente construída para priorizar empresas líderes que detêm uma presença de mercado e receitas substanciais em produtos de memória e tecnologias associadas. Isto inclui um amplo espetro de soluções de memória, tais como memória de alta largura de banda (HBM), memória dinâmica de acesso aleatório (DRAM), memória flash NAND (abrangendo unidades de estado sólido baseadas em NAND), memória flash NOR, discos rígidos e componentes de memória especializados ou incorporados. A ênfase deliberada do fundo em empresas de grande capitalização é considerada essencial para apoiar os avanços na inteligência artificial. Para executar a sua abordagem de investimento ativa, o fundo tem a flexibilidade de investir em ações ordinárias ou derivados financeiros, tais como swaps ou forwards. A alocação dos pesos da carteira segue uma metodologia de capitalização de mercado modificada, com uma salvaguarda de que nenhuma empresa individual pode constituir mais de 25% do fundo. Estas ponderações são determinadas pela avaliação do consultor sobre a posição de mercado e a geração de receitas de cada empresa no setor de memória. A carteira é reequilibrada com uma frequência mínima de três meses.