IQE 

IQE plc specialiserar sig på utveckling, produktion och försäljning av avancerade halvledarmaterial. Företagets verksamhet är uppdelad i tre huvuddivisioner: Wireless, Photonics och CMOS++. Företaget tillverkar halvledarskivor av sammansatta material, kända som epiwafers, med hjälp av en epitaxi-process. Inom segmentet Wireless erbjuder IQE olika produkter baserade på Galliumarsenid (GaAs), Galliumnitrid (GaN) och Indiumfosfid (InP)-teknologier, tillsammans med epitaxiella skivstrukturer av kisel och germanium. Dessa inkluderar GaAs HBTs, pHEMTs och BiFETs/BiHEMTs, vilka är avgörande komponenter för applikationer som mobiltelefoner, smarta enheter, 5G-infrastruktur, WiFi 6, Bluetooth och satellitkommunikationssystem. Photonics-divisionen tillhandahåller innovativa lösningar som vertikalt strålande lasrar med tunn skiktstruktur (VCSELs). Dessa VCSELs möjliggör avancerade 3D-sensorfunktioner, inklusive ansiktsigenkänning, geststyrning och LiDAR (light detection and ranging), samt andra sensorapplikationer. Företaget levererar även Indiumfosfid (InP) laser- och detektorskivor, som är nödvändiga för höghastighets-5G-telekommunikation och fiberoptiska datanätverk. Vidare erbjuder IQE Galliumnitrid (GaN) och Galliumantimonid (GaSb) för flerfärgade micro-LED-skärmar, samt ett urval av GaSb- och InP-material som används i högupplöst infraröd avbildning och sensorik för säkerhet, hälsomonitorering och miljöövervakning. Utöver detta tillverkar IQE en mängd substratprodukter, inklusive GaSb, InP, InAs, InSb, CZT, tillsammans med skivor i anpassade storlekar eller geometrier, polykristallina material, högrena grupp III/V-källmaterial och skräddarsydda orienterade substrat. Företaget erbjuder även specialiserade tjänster såsom nanoimprint-litografi. IQE plc verkar globalt och betjänar kunder i USA, Amerika, Frankrike, Tyskland, Israel, Storbritannien, övriga Europa, Mellanöstern, Afrika, Kina, Japan, Taiwan och den bredare Asien-Stillahavsregionen. IQE plc grundades 1988 och har sitt huvudkontor i Cardiff, Storbritannien.