IntelliEPI 

IntelliEPI Inc. (Cayman), prostredníctvom svojich dcérskych spoločností, sa špecializuje na výrobu a dodávku pokročilých epitaxiálnych waferov z kompozitných polovodičov. Tieto špecializované komponenty sú kľúčové pre najmodernejšie technológie v oblasti bezdrôtovej komunikácie, prenosu dát a aplikácií v národnej obrane. Spoločnosť má globálnu prítomnosť a pôsobí na kľúčových trhoch vrátane USA, Nemecka, Číny, Japonska a Južnej Kórei. Základným pilierom jej prevádzky je využívanie vlastných systémov pre molekulárnu epitaxiálnu epitaxiu (MBE), ktoré integrujú technológiu monitorovania rastu in situ v reálnom čase. Tento sofistikovaný výrobný proces umožňuje vytváranie vysokokvalitných epi-waferov na substrátoch z arsenidu galia (GaAs) a fosfüridu інdiu (InP). Rozsiahle produktové portfólio IntelliEPI zahŕňa: riešenia na báze GaAs: ako napríklad pseudomorfické tranzistory s vysokou hybnosťou elektrónov (pHEMT) a produkty MHEMT. Ponuku na báze InP: vrátane heterojunction bipolárnych tranzistorov (HBT), HEMT, RTT a komponentov RTD. Produkty na báze antimony (Sb): vrátane fotodetektorov Type II SLS, InP HBT na báze GaAsSb a epi-ready substrátov z antimonidu galia (GaSb). Produkty s nesúladnou epitaxiou: ako napríklad III-V na silíci (Si), III-V na germániu (Ge) a Indium Gallium Arsenide (InGaAs) s vysokým obsahom indi {{indium}} na silíci. Optoelektronické zariadenia: široká škála vrátane lavinových fotodiod (APD), rôznych typov laserov (ako napríklad vysokorychlostné vysokofrekvenčné povrchovo emitujúce lasery a kvantové kaskádové lasery), optických prijímačov, infračredových fotodetektorov s kvantovými jamami (QWIP), modulátorov a všeobecných infračredových svetelných detektorov. Spoločnosť IntelliEPI bola založená v roku 1999 a má sídlo v Richardson, Texas.