IntelliEPI 

İştirakleri aracılığıyla faaliyet gösteren IntelliEPI Inc. (Cayman), gelişmiş bileşik yarı iletken epitaksi wafer üreticisi ve tedarikçisi olarak uzmanlaşmıştır. Bu özel bileşenler; kablosuz iletişim, veri iletimi ve ulusal savunma uygulamalarındaki en ileri teknolojiler için hayati öneme sahiptir. Şirket; Amerika Birleşik Devletleri, Almanya, Çin, Japonya ve Kore dahil olmak üzere kilit pazarlara hizmet vererek küresel bir varlığa sahiptir. Operasyonlarının temel taşı, gerçek zamanlı in situ büyüme izleme teknolojisini entegre eden tescilli Moleküler Işın Epitaksisi (MBE) sistemlerinin kullanımıdır. Bu gelişmiş üretim süreci, Gallium Arsenide (GaAs) ve Indium Phosphide (InP) alt katmanları üzerine inşa edilmiş yüksek kaliteli epi-wafer'ların üretilmesini sağlar. IntelliEPI'nin geniş ürün portföyü şunları kapsamaktadır: GaAs tabanlı çözümler: Psödomorfik yüksek elektron hareketliliğine sahip transistörler (pHEMT'ler) ve MHEMT ürünleri gibi. InP tabanlı teklifler: Hetero-eklem bipolar transistörler (HBT'ler), HEMT'ler, RTT ve RTD bileşenleri dahil. Antimon (Sb) tabanlı ürünler: Tip II SLS fotodedektörler, GaAsSb tabanlı InP HBT'ler ve epi-hazır Gallium Antimonide (GaSb) alt katmanları içeren ürünler. Uyumsuz epitaksi ürünleri: Silikon (Si) üzerinde III-V, Germanyum (Ge) üzerinde III-V ve Silikon üzerinde yüksek indiyum içerikli Indium Gallium Arsenide (InGaAs) gibi. Optoelektronik cihazlar: Çığ fotodiyotlar (APD'ler), çeşitli lazer türleri (yüksek hızlı yüksek frekanslı yüzey yayıcı lazerler ve kuantum kaskat lazerleri gibi), optik alıcılar, kuantum kuyusu kızılötesi fotodedektörler (QWIP'ler), modülatörler ve genel kızılötesi ışık dedektörlerinden oluşan geniş bir yelpaze. 1999 yılında kurulan IntelliEPI, genel merkezini Richardson, Teksas'ta bulundurmaktadır.