IntelliEPI 

IntelliEPI Inc. (Cayman), thông qua các công ty con của mình, chuyên sản xuất và cung cấp các tấm wafer epitaxy bán dẫn hợp chất tiên tiến. Các thành phần chuyên dụng này đóng vai trò quan trọng cho các công nghệ đột phá trong truyền thông không dây, truyền dữ liệu và các ứng dụng quốc phòng. Công ty có sự hiện diện toàn cầu, phục vụ các thị trường trọng điểm bao gồm Hoa Kỳ, Đức, Trung Quốc, Nhật Bản và Hàn Quốc. Nền tảng trong hoạt động của công ty là việc sử dụng các hệ thống Molecular Beam Epitaxy (MBE) độc quyền, tích hợp công nghệ giám sát tăng trưởng in situ theo thời gian thực. Quy trình sản xuất tinh vi này cho phép tạo ra các epi-wafer chất lượng cao được xây dựng trên các đế Gallium Arsenide (GaAs) và Indium Phosphide (InP). Danh mục sản phẩm sâu rộng của IntelliEPI bao gồm: Các giải pháp dựa trên GaAs: Như các transistor có độ linh động điện tử cao giả hình (pHEMTs) và các sản phẩm MHEMT. Các sản phẩm dựa trên InP: Bao gồm các transistor lưỡng cực dị thể (HBTs), HEMTs, RTT và các thành phần RTD. Các sản phẩm dựa trên Antimony (Sb): Bao gồm các photodetector Type II SLS, InP HBTs dựa trên GaAsSb và các đế Gallium Antimonide (GaSb) sẵn sàng cho epitaxy. Các sản phẩm epitaxy không tương thích: Như III-V trên Silicon (Si), III-V trên Germanium (Ge), và Indium Gallium Arsenide (InGaAs) hàm lượng indium cao trên Silicon. Các thiết bị quang điện tử: Một loạt các thiết bị bao gồm avalanche photodiodes (APDs), các loại laser khác nhau (như laser phát xạ bề mặt tốc độ cao tần số cao và laser quantum cascade), bộ thu quang học, quantum well-infrared photodetectors (QWIPs), bộ điều biến và các máy dò ánh sáng hồng ngoại nói chung. Được thành lập vào năm 1999, IntelliEPI đặt trụ sở chính tại Richardson, Texas.