Roundhill Memory 

Der Roundhill Memory ETF (DRAM) bietet Anlegern eine gezielte Investitionsmöglichkeit innerhalb der weltweiten Halbleiter-Speicherindustrie. Das Portfolio ist strategisch so aufgebaut, dass führende Unternehmen priorisiert werden, die eine erhebliche Marktpräsenz und Umsätze mit Speicherprodukten und zugehörigen Technologien erzielen. Dies umfasst ein breites Spektrum an Speicherlösungen wie High Bandwidth Memory (HBM), Dynamic Random-Access Memory (DRAM), NAND-Flash-Speicher (einschließlich auf NAND basierender Solid-State-Drives), NOR-Flash-Speicher, Festplatten sowie spezialisierte oder eingebettete Speicherkomponenten. Die bewusste Konzentration des Fonds auf große Unternehmen mit hoher Marktkapitalisierung wird als wesentlich für die Unterstützung von Fortschritten im Bereich der künstlichen Intelligenz erachtet. Um seinen aktiven Investmentansatz umzusetzen, hat der Fonds die Flexibilität, in Stammaktien oder Finanzderivate wie Swaps oder Forwards zu investieren. Die Allokation der Portfoliogewichtung folgt einer modifizierten Marktkapitalisierungsmethodik, wobei sichergestellt wird, dass kein einzelnes Unternehmen mehr als 25 % des Fonds ausmacht. Diese Gewichtungen werden durch die Bewertung der Marktposition und der Umsatzgenerierung jedes Unternehmens im Speichersektor durch den Berater bestimmt. Das Portfolio wird mindestens alle drei Monate neu gewichtet.