Roundhill Memory 

Le Roundhill Memory ETF (DRAM) est conçu pour offrir aux investisseurs une opportunité d'investissement ciblée au sein de l'industrie mondiale de la mémoire de semi-conducteurs. Son portefeuille est stratégiquement construit pour donner la priorité aux entreprises de premier plan qui détiennent une présence de marché et un chiffre d'affaires substantiels dans les produits de mémoire et les technologies associées. Cela inclut un large éventail de solutions de mémoire telles que la mémoire à large bande passante (HBM), la mémoire vive dynamique (DRAM), la mémoire flash NAND (comprenant les disques SSD basés sur la NAND), la mémoire flash NOR, les disques durs, ainsi que les composants de mémoire spécialisés ou embarqués. L'accent délibéré du fonds sur les grandes entreprises à forte capitalisation est jugé essentiel pour soutenir les avancées de l'intelligence artificielle. Pour exécuter son approche d'investissement active, le fonds dispose de la flexibilité d'investir dans des actions ordinaires ou des produits dérivés financiers, tels que des swaps ou des contrats à terme. L'allocation des poids du portefeuille suit une méthodologie de capitalisation boursière modifiée, avec une clause de sauvegarde stipulant qu'aucune entreprise ne peut constituer plus de 25 % du fonds. Ces pondérations sont déterminées par l'évaluation du conseiller de la position de marché et de la génération de revenus de chaque entreprise au sein du secteur de la mémoire. Le portefeuille fait l'objet d'un rééquilibrage au moins tous les trois mois.