Roundhill Memory 

L'ETF Roundhill Memory (DRAM) è progettato per offrire agli investitori un'opportunità di investimento mirata all'interno del settore mondiale delle memorie semiconduttrici. Il suo portafoglio è costruito strategicamente per dare priorità alle aziende leader che detengono una sostanziale presenza di mercato e ricavi nei prodotti di memoria e nelle tecnologie associate. Ciò include un ampio spettro di soluzioni di memoria, come la memoria ad alta larghezza di banda (HBM), la memoria dinamica ad accesso casuale (DRAM), la memoria flash NAND (che comprende le unità a stato solido basate su NAND), la memoria flash NOR, i dischi rigidi e i componenti di memoria specializzati o embedded. L'enfasi deliberata del fondo sulle principali società a grande capitalizzazione è considerata essenziale per sostenere i progressi nell'intelligenza artificiale. Per attuare il suo approccio di investimento attivo, il fondo ha la flessibilità di investire in azioni ordinarie o derivati finanziari, come swap o forward. L'allocazione dei pesi del portafoglio segue una metodologia di capitalizzazione di mercato modificata, con la salvaguardia che nessuna singola azienda possa costituire più del 25% del fondo. Queste ponderazioni sono determinate dalla valutazione del consulente sulla posizione di mercato e sulla generazione di ricavi di ciascuna azienda all'interno del settore della memoria. Il portafoglio viene ribilanciato con una frequenza minima di ogni tre mesi.