エバースピン・テクノロジー 

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統計情報

日高
5.5
日 低
5.45
52W高
-
52W Low
-
出来高
0
平均出来高
-
時価総額
127.87M
PER(株価収益率)
95.83
配当利回り
-
配当金
-

今後のイベント

収益

30Oct予想値
Q1 2023
Q2 2023
Q3 2023
Q4 2023
Q1 2024
Q2 2024
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実績EPS
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このリストは、Stock EventsでE5N.Fをフォローしている人のウォッチリストを元に作成されています。投資推奨ではありません。

競合他社

このリストは、最近の市場の出来事に基づいた分析です。投資の勧めではありません。
マイクロンテクノロジー.
MU
時価総額106.71B
Micron Technology, Inc. は、ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)、NANDフラッシュメモリ、NORフラッシュメモリを含むメモリおよびストレージソリューションを製造・販売しているため、EverspinのMRAM製品の代替となります。
ウェスタン・デジタル
WDC
時価総額22.53B
Western Digital Corporationは、Everspinの磁気RAMおよびストレージソリューションと競合するデータストレージデバイスおよびソリューションの開発、製造、販売に関与しています。
インテル
INTC
時価総額94.24B
Intel Corporationは、MRAM技術に対抗するOptaneメモリを含む不揮発性メモリソリューションの製造を通じてEverspinと競合しています。
台湾セミコンダクター・マニュファクチャリング
TSM
時価総額890.45B
台湾半導体製造株式会社は、EverspinのMRAM技術と競合するメモリチップを含む半導体製品を製造しています。
Samsung Electronics
SSNLF
時価総額38.68B
Samsung Electronics Co., Ltd.は、DRAMやNANDフラッシュを含む幅広いメモリ製品を提供し、EverspinのMRAMソリューションと同様の市場を対象としているため、競合他社です。
SK Hynix
HXSCL
時価総額0
SK Hynix Inc. は、DRAM および NAND フラッシュメモリチップを提供し、MRAM 技術の代替となる選択肢として、グローバルなメモリ半導体市場で競争しています。
テキサス・インスツルメンツ
TXN
時価総額195.7B
Texas Instruments Incorporatedは、MRAMの代替として特定のアプリケーション向けのメモリ製品を含む半導体の設計および製造に関与しています。
アドバンスト・マイクロ・デバイセズ
AMD
時価総額240.44B
Advanced Micro Devices, Inc.は、メモリ技術を含む半導体製品を生産しています。MRAMでは直接の競合他社ではありませんが、記憶およびストレージソリューションの進歩により、より広範なメモリ市場で競合他社として位置付けられています。
シーゲイト・テクノロジー
STX
時価総額20.92B
Seagate Technology Holdings plcは、HDD(ハードディスクドライブ)やSSD(ソリッドステートドライブ)などのデータストレージソリューションで知られており、ストレージ市場でMRAMと競合しています。

概要

エバースピン・テクノロジーズ(Everspin Technologies,Inc.)は磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)ソリューションの提供を行う。【事業内容】MRAMソリューションは、ランダムアクセスメモリ(RAM)の不揮発性メモリを提供する。産業、医療、自動車・輸送、航空宇宙、およびデータセンター向けのソリューションを提供する。3つの製品が含まれる。「Toggle MRAM」は、パラレル、シリアルペリフェラルインターフェース(SPI)およびクワッドSPI(QSPI)インターフェースを含む業界標準インターフェースを備えた製品を提供する。「Spin-transfer Torque MRAM (STT-MRAM)」は、標準のDDR3およびDDR4派生インターフェースを備えた製品を提供する。「Tunnel Magneto Resistance (TMR) Sensors」は、3次元(3D)コンパスを利用する家電アプリケーションに統合されたダイレベルデバイスを提供する。
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CEO
Dr. Sanjeev Aggarwal Ph.D.
従業員数
82
国名
US
ISIN
US30041T1043
WKN
000A2AS0X

掲載内容